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功率MOSFET   TO-220-3

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制造商编号 RCX511N25
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RCX511N25
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:51A(Tc) 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):2.23W(Ta),40W(Tc)
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 250V
连续漏极电流Id 51A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V
栅极电压Vgs ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7000pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 2.23W(Ta),40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@25.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
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