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小信号MOSFET   VMT-6

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制造商编号 VT6J1T2CR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-VT6J1T2CR
供货
产品周期

计划停产

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:100mA Pd-功率耗散(Max):120mW Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8Ω@100mA,4.5V 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:1V
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商品目录 小信号MOSFET
连续漏极电流Id 100mA
Pd-功率耗散(Max) 120mW
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.8Ω@100mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V
栅极电压Vgs 1V
上升时间 62ns
下降时间 137ns,137ns
典型关闭延迟时间 325ns
典型接通延迟时间 46ns
封装/外壳 VMT-6
系列 VT6J1
通道数量 2Channel
配置 Dual
工作温度 -55°C~150°C
FET类型 P-Channel
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