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小信号MOSFET   150°C(TJ) EMT 300mA 150mW 1Ω 20V 300mV

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制造商编号 EM6K6T2R
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-EM6K6T2R
供货
产品状态

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
150°C(TJ) EMT 300mA 150mW 1Ω 20V 300mV
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商品目录 小信号MOSFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 EMT
连续漏极电流Id 300mA
功率耗散Pd 150mW
导通电阻Rds(On)
漏源极电压Vds 20V
栅极电压Vgs 300mV
上升时间 10ns
下降时间 10ns
典型关闭延迟时间 15ns
典型接通延迟时间 5ns
宽度 1.2mm
系列 EM6K6
通道数量 2Channel
配置 Dual
长度 1.60mm
高度 0.50mm
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商品简介

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