| 制造商编号 | PMGD175XNEX |
|---|---|
| 商品别名 | PMGD175XNE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PMGD175XNEX |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT363 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 导通电阻Rds(On) | 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V | |
| 功率耗散Pd | 0.26W | |
| 工作温度 | 150°C | |
| 栅极电压Vgs | 1V,12V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 输入电容 | 81pF | |
| 输出电容 | 13pF | |
| 连续漏极电流Id | 0.95A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按3000的倍数下单） |
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| 3,000 + | ￥1.2348 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
34W
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS84LT1G | 600,000 |
| LMN2500N3T5G | 50,000 |
| L2N7002KN3T5G | 50,000 |
| PMV130ENEAR | 27,000 |
| LBSS8402DW1T1G | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMGD175XNEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V 0.26W 150°C 1V,12V 30V 0.95A |
￥1.2348
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO7800 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 N-Channel 20V 8V 0.9A 0.3W 300mΩ@4.5V |
￥1.6282
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23,763 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
190mΩ@1.3A,10V 320mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 30V 1A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
￥0.6792
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2,153 | 对比 | ||||||||||||
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|
DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
190mΩ@1.3A,10V 320mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 30V 1A |
￥0.8196
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479 | 对比 |
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