| 制造商编号 | PMDT670UPE,115 |
|---|---|
| 商品别名 | PMDT670UPE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PMDT670UPE,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT666 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.33W | |
| 工作温度 | 150°C | |
| 栅极电压Vgs | 8V,-0.8V | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 输入电容 | 58pF | |
| 输出电容 | 21pF | |
| 连续漏极电流Id | -0.55A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
请咨询客服
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| 起订量： 4,000 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| 2N7002BK，215 | 201,600 |
| BSS84AK,215 | 129,000 |
| BSS138P,215 | 123,000 |
| LBSS138DW1T1G | 96,000 |
| S-LP2301LT1G | 92,263 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PMDT670UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥3.4401
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7,945 | 对比 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥3.4401
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5,600 | 对比 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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