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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | P 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 460pF @ 10V | |
| 封装/外壳 | TSMT3 | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 2.5A(Ta) | |
| 功率耗散(最大值) | 1W(Ta) | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 5.4nC @ 5V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 98 毫欧 @ 2.5A,10V |
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具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
设计用于12V汽车应用，具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P15 | 12,010 |
| CQA34N00 | 9,010 |
| PMLL4148L,115 | 9,000 |
| SLF65R380E7 | 5,000 |
| IPB020N08N5 | 4,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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|
FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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