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功率MOSFET   SOT-23-3

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制造商编号 SQ2308CES-T1_GE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A-SQ2308CES-T1_GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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商品目录 功率MOSFET
系列 SQ
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 205pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 2.3A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 205pF @ 30V
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@2.3A,10V
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库存 :  15,045

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整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥1.7094
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若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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最小包:3,000 
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