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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 59W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4mΩ@90A,10V | |
工作温度 | -55°C~150℃ | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 40V | |
连续漏极电流Id | 100A |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-5天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 468,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 117,000 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
AO3400A | 36,010 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,015 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A |
¥10.1972
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100 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRF7469 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 17mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7842 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V SO-8 5.9mΩ N-Channel 20V 14A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 40V |
¥8.734
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19,560 | 对比 | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
¥3.784
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10,416 | 对比 | ||||||||||||
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SIR836DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 10A,10V 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 40V |
¥3.476
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2,438 | 对比 |