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小信号MOSFET   VMT

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制造商编号 VT6M1T2CR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-VT6M1T2CR
供货
产品周期

计划停产

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
VT6M1 Series 20 V 100 mA 3.5 Ohm Surface Mount N/P-Channel Mosfet - VMT6
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@100mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7.1pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 120mW
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 VMT
FET类型 N+P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 0.1A
栅极电压Vgs ±8V,±10V
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商品简介

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