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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.6mΩ@9.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3周-4周
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| 起订量： 60 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SI7617DN-T1-GE3 | 300,000 |
| NCEP035N85GU | 85,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 66,000 |
| JMSL1020AGDQ-13 | 45,000 |
| CRSQ027N10N | 33,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,152 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.46W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8A(Ta) |
￥1.276
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4,287 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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