| 制造商编号 | MT46V32M16P-5B IT:J |
|---|---|
| 制 造 商 | Micron(美光科技) |
| 唯样编号 | A33-MT46V32M16P-5B IT:J-1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
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暂无数据
送50积分
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | DRAM | |
| 存储容量 | 512Mb (32M x 16) | |
| 时钟频率 | 200MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | |
| 访问时间 | 700ps | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 电压 - 电源 | 2.5 V ~ 2.7 V | |
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) | |
| 封装/外壳 | 66-TSOP |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 2 + | ￥118.2085 |
| 5 + | ￥66.7319 |
| 10 + | ￥60.3021 |
| 30 + | ￥56.0092 |
| 50 + | ￥55.1563 |
| 60 + | ￥54.9359 |
| 100 + | ￥54.5047 |
| 200 + | ￥54.1885 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,080
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3周-4周
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| 起订量： 2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2025 年
GaN功率晶体管 700V耐压、零反向恢复、超高频开关能力、低栅极电荷
ABPY系列 铁氧体磁珠 通过高频阻抗特性抑制高频噪声 优异的EMI抑制能力，高额定电流
CMP系列 车规级 2010封装 电流传感电阻 高性能 高可靠性
TCQ系列 聚合物钽电容 符合AEC-Q200 低ESR 高频特性
eAIT-II系列 连接器 车规 线对线/线对板 0.64mm间距
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SSL310A | 5,000 |
| MMBT5551Q | 4,800 |
| BZT52B36 | 2,010 |
| TEA2025L-D16-T | 2,000 |
| MDF7-5S-2.54DSA(56) | 800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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MT46V32M16P-5B IT:J | Micron | 未分类 |
￥118.2085
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1,080 | 当前型号 | ||||||||||||||||||||
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MT46V32M16P-5B:J | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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MT46V32M16P-5B:J | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) |
￥15.3878
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0 | 对比 |
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