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创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
涵盖各种外壳尺寸、电容值和工作电压,不仅适用于汽车行业,也适用于所有提高可靠性的应用
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
具有小于8ms的快速响应时间和强制导向触点结构,适用于其他多功能应用
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
可提供高处理效率、低分配成本和一致的接触可靠性
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
良好的自恢复特性、过压能力和高CV
旨在为LIN总线上的电气元器件提供支持,最大连续电压为16 V,电容为200 pF
100V~630V电压范围,高可靠性和稳定性