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宽电阻范围和B常数,高稳定性电阻值
低ESR,自修复特性,工作温度高达+125°C
具有优异的抗硫化性能,以及高穩定性和高可靠性,符合车规AEC-Q200标准
可在2.3V~5.5V范围内实现 1A 连续输出电流,具有出色的负载和线路调节能力
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
基于ARM Cortex-M3内核的车规级MCU,可靠性高,应用于汽车电子和高可靠工业领域
优异的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳系数和快速响应时间
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
具有小于8ms的快速响应时间和强制导向触点结构,适用于其他多功能应用