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高可靠性车规小信号MOSFET,适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
车规级N/P沟道 MOSFETs,适用于车载前装及后装等各类中低压应用
低导通电阻,高功率,小尺寸封装
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
低开关损耗、高开关频率操作、低工作温度和低栅极驱动损耗
具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷
具有ESD保护,低RDS(on),多种封装方式等特点
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
很高的抗大电流冲击能力,抗电磁干扰能力强