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承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
高可靠性车规小信号MOSFET,适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
车规级N/P沟道 MOSFETs,适用于车载前装及后装等各类中低压应用