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根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
很高的抗大电流冲击能力,抗电磁干扰能力强
具有较高的集电极电流能力IC和ICM,非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
平面钝化、灵敏四象限双向可控硅,用于通用双向开关和相位控制应用
采用小型SOT-23封装,具有大电流,三种电流增益选择等特点
车规级650V IGBT 内置SiC SBD 高速快速开关
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
N-Channel MOSFET 低开关损耗和导电损耗、高效率
提供绝对的电涌保护,可保护电信设备
专门设计用于中等功率转换和相位控制应用