第七代TRENCHSTOP™ IGBT专为变频工业驱动而设计。该系列IGBT采用微沟槽技术，使其具有低饱和压降V_CEsat,低开关损耗以及高电流密度，可实现更高的器件可控性,非常适合用于驱动器、工业电源和能源生成应用。

特性：

• TRENCHSTOP IGBT7技术

• 超低VCEsat

• 关断损耗低

• 多种封装形式

• 最高工作温度：175℃

应用：

驱动器、工业电源和能源生成应用，光伏发电等