首页 > 新品资讯 > > Infineon(英飞凌) IGBT7系列 绝缘栅双极晶体管

Infineon(英飞凌) IGBT7系列 绝缘栅双极晶体管

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有10人订阅
+订阅 已订阅
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度

第七代TRENCHSTOP™ IGBT专为变频工业驱动而设计。该系列IGBT采用微沟槽技术,使其具有低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度,可实现更高的器件可控性,非常适合用于驱动器、工业电源和能源生成应用。

upfile

特性:

  • TRENCHSTOP IGBT7技术

  • 超低VCEsat

  • 关断损耗低

  • 多种封装形式

  • 最高工作温度:175℃

应用:

驱动器、工业电源和能源生成应用,光伏发电等

IGBT7系列 绝缘栅双极晶体管型号推荐

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
系列:IGBT 7
960
系列:IGBT 7 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
720
系列:IGBT 7 High speed 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 Technology
960
系列:IGBT 7 High speed 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 Technology
480
系列:IGBT 7
240
系列:IGBT 7
240

最新资讯

查看更多
制造商:
查看详情

热门资讯

上一篇:

Kyocera KAM系列汽车陶瓷电容器 (MLCC)

下一篇:

Panasonic(松下) SFS薄型安全继电器