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Infineon(英飞凌) IGBT7系列 绝缘栅双极晶体管

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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度

第七代TRENCHSTOP™ IGBT专为变频工业驱动而设计。该系列IGBT采用微沟槽技术,使其具有低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度,可实现更高的器件可控性,非常适合用于驱动器、工业电源和能源生成应用。

upfile

特性:

  • TRENCHSTOP IGBT7技术

  • 超低VCEsat

  • 关断损耗低

  • 多种封装形式

  • 最高工作温度:175℃

应用:

驱动器、工业电源和能源生成应用,光伏发电等

IGBT7系列 绝缘栅双极晶体管型号推荐

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
系列:IGBT 7
0
系列:IGBT 7 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
240
系列:IGBT 7 High speed 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 Technology
240
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240
系列:IGBT 7
240
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240

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