Infineon推出了革命性的CoolSiC™MOSFET技术，实现了全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比，碳化硅（SiC）功率MOSFET提供了一系列优势，包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。采用分立封装，提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用，如光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、UPS、辅助电源和SMPS。

特性：

• 电压范围：400V~2000V

• 阈值电压：Vth=4V

• 低电容器件

• 开关损耗不受温度影响

• 体二极管的反向恢复电荷较小

• 无阈值通态特性

应用范围：

光伏逆变器；电池充电和化成；服务器和通信电源；伺服和电机驱动；储能与不间断电源；工业开关电源；辅助电源