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Infineon(英飞凌) CoolSiC™系列碳化硅 MOSFET

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提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用

Infineon推出了革命性的CoolSiC™MOSFET技术,实现了全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET提供了一系列优势,包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。采用分立封装,提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用,如光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、UPS、辅助电源和SMPS。

upfile

特性:

  • 电压范围:400V~2000V

  • 阈值电压:Vth=4V

  • 低电容器件

  • 开关损耗不受温度影响

  • 体二极管的反向恢复电荷较小

  • 无阈值通态特性

应用范围:

光伏逆变器电池充电和化成服务器和通信电源伺服和电机驱动储能与不间断电源工业开关电源辅助电源

Infineon CoolSiC™系列MOSFET型号推荐

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
1000
CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
1000
CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET
480

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