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Infineon(英飞凌) OptiMOS™ N沟道功率MOSFET

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专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色

英飞凌OptiMOS™ N沟道功率 MOSFET 旨在提高效率、功率密度和成本效益。OptiMOS™ 产品专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色。该产品组合现再添 StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2N沟道 MOSFET,品类更为齐全,更具吸引力。 StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2N沟道功率 MOSFET 具备稳健设计和优异性价比,为 OptiMOS™MOSFET 的卓越技术锦上添花。两大产品系列均符合严苛的质量和性能要求。StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计,特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。

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特性:

  • 电压范围:12V~950V

  • 在中低压电源应用中实现极低的 RDS(on) 性能

  • 高效率和高功率密度

  • StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计

  • 多种封装可选择

应用:

开关电源(SMPS)、电池供电应用、电机控制和驱动、逆变器和计算等

OptiMOS™ 系列MOSFET型号推荐

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系列:OptiMOS™
5000
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