英飞凌OptiMOS™ N沟道功率 MOSFET 旨在提高效率、功率密度和成本效益。OptiMOS™ 产品专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色。该产品组合现再添 StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2N沟道 MOSFET，品类更为齐全，更具吸引力。 StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2N沟道功率 MOSFET 具备稳健设计和优异性价比，为 OptiMOS™MOSFET 的卓越技术锦上添花。两大产品系列均符合严苛的质量和性能要求。StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计，特别适合于开关频率较低以及需要较高载流能力的应用。

特性：

• 电压范围：12V~950V

• 在中低压电源应用中实现极低的 RDS(on) 性能

• 高效率和高功率密度

• StrongIRFET™功率MOSFET专门为工业级应用设计

• 多种封装可选择

应用：

开关电源（SMPS）、电池供电应用、电机控制和驱动、逆变器和计算等