Infineon OptiMOS™ PD(供电)MOSFET非常适合用于USB-PD和快速充电器设计，支持较短交付时间和快速引用响应时间。逻辑电平MOSFET采用PQFN 3.3x3.3和SuperSO8封装，针对充电器和适配器25V至150V SMPS应用中的同步整流进行了优化。逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (VGS(th))，允许中低电压MOSFET由4.5V或直接从微控制器驱动，从而减少应用中的元件数量。

特性：

• 低RDS(on)，采用小型封装，无需增加电荷

• 低栅极电荷 (Qg) 可降低开关损耗，不影响导通损耗

• 整体损耗和开关损耗更低

• 低反向恢复电荷 (Qrr) 和低输出电荷 (Qoss)

• 同步整流低过冲

• 支持高开关频率

• 出色的散热性能

应用：

负载开关，电源电路，充电器，适配器等