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英飞凌 OptiMOS™ PD MOSFET

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非常适合用于USB-PD和快速充电器设计

Infineon OptiMOS™ PD(供电)MOSFET非常适合用于USB-PD和快速充电器设计,支持较短交付时间和快速引用响应时间。逻辑电平MOSFET采用PQFN 3.3x3.3和SuperSO8封装,针对充电器和适配器25V至150V SMPS应用中的同步整流进行了优化。逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (VGS(th)),允许中低电压MOSFET由4.5V或直接从微控制器驱动,从而减少应用中的元件数量。

upfile

特性:

  • RDS(on),采用小型封装,无需增加电荷

  • 低栅极电荷 (Qg) 可降低开关损耗,不影响导通损耗

  • 整体损耗和开关损耗更低

  • 低反向恢复电荷 (Qrr) 和低输出电荷 (Qoss)

  • 同步整流低过冲

  • 支持高开关频率

  • 出色的散热性能

应用:

负载开关,电源电路,充电器,适配器等

英飞凌 OptiMOS™ PD MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
5000
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7mOHM 8-Pin TDSON T/R
0

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