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AOS AONR21357 30V P-Channel 功率MOSFET

功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装

通过改良的P沟道制程实现了更低的损耗和更可靠的启动,标准的DFN3*3封装,是用于笔记本电源适配器和电池的负载开关的理想产品。负载开关电路用于控制电源汇流排的开/关,AONR21357用于负载开关适用于宽范围输入输出电压,并且其强壮和高可靠性适用于各种工作条件。

“AONR21357 完全满足-30VDS/-25VGS这个规格的P沟道MOS管的应用需求,优异的性能例如超低米勒平台和低损耗的开关特性确保其可靠性和安全的工作区域,使得研发工程师能够利用P沟道MOS管实现简单的设计”

upfile

VDS:-30V; 

ID (at VGS=-10V) -34A;

RDS(ON) (at VGS=-10V): < 7.8mΩ;

RDS(ON) (at VGS=-4.5V): < 12.3mΩ

upfile

产品特性:

•最新的先进沟槽技术

•低RDS(on)

•高电流能力

•符合RoHS和无卤素标准

 

产品应用:

•笔记本AC-in负载开关

•电池保护充放电


AONR21357 功率MOSFET

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AOS 功率MOSFET

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buck boost NMOS, 30V
11000

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