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新洁能NCE 12V~200V N沟道沟槽型功率MOSFET

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采用先进工艺与精细化器件结构设计,系列覆盖12V至200V全电压等级

新洁能(NCE)推出N型12V~200V沟槽型(Trench)功率MOSFET系列产品。该系列采用先进工艺与精细化器件结构设计,在导通电阻、开关特性、可靠性及宽SOA能力等方面持续优化,产品性能与可靠性处于行业领先水平。系列覆盖12V至200V全电压等级,并提供CSP、DFN、SOT、TO、TOLL等十余种封装选项,满足从便携设备到高功率工业应用的多样化需求。

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产品特性:

  • 超低导通电阻RDS(on))有效降低导通损耗。

  • 优良的开关特性通过优化栅极电荷(Qg)与输入电容(CISS)

  • SOA能力与高可靠性产品具备宽安全工作区,通过100%雪崩测试,鲁棒性强

  • 宽广的电流覆盖范围电流等级从0.17A~350A全覆盖

产品应用

电机驱动;电池管理(BMS);工业控制与电源;消费电子;负载开关与电源管理;通信与网络

NCE 12V~200V N沟道沟槽型功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
沟槽型
12555
沟槽型
33000
沟槽型
42040
沟槽型
24000
沟槽型
20030
沟槽型
67957
沟槽型
12500

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