捷捷微电的高压MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）主要针对高电压、大功率应用场景设计，典型产品覆盖电压范围大于400V。其核心特点包括：结构类型采用平面型或超级结（Super Junction）技术，优化导通电阻与开关损耗的平衡；封装形式有TO-220、TO-247、TO-252（DPAK）等，适配不同散热与空间需求；工艺上结合先进的沟槽栅工艺，提升器件开关速度与能效。

特性：

• 高压耐受能力：支持 600V/650V/800V/1000V 等级，适用于高压输入环境

• 低导通电阻（RDS(on)）

• 快速开关性能：低栅极电荷（Qg）和低反向恢复电荷（Qrr），适合高频开关电源应用

• 高可靠性：通过严格的雪崩耐量（UIS）测试，具备抗浪涌能力，寿命周期长

• 温度稳定性：-55℃~+150℃宽温度范围，适应严苛环境

应用：

开关电源（SMPS）；新能源系统；工业电机驱动；LED照明；电动汽车（EV）配套