AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术，具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点，且符合 RoHS 和无卤素要求。适用于电机控制、照明、工业和负载开关等。

特点：

• 低RDS(ON)：<14.5mΩ @ V_GS=10V

• 逻辑电平栅极驱动

• 具有ESD保护

• V_DS=60V，Id=6.5A

等效电路图：

应用：

电机控制、照明、工业和负载开关等