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AOS AOSD62666E N沟道功率MOSFET

具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点

AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术,具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点,且符合 RoHS 和无卤素要求。适用于电机控制、照明、工业和负载开关等。

upfile

特点:

  • RDS(ON):<14.5mΩ @ VGS=10V

  • 逻辑电平栅极驱动

  • 具有ESD保护

  • VDS=60V,Id=6.5A

等效电路图:

upfile

应用:

电机控制、照明、工业和负载开关等

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