AOS AOSD62666E N沟道功率MOSFET
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术,具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点,且符合 RoHS 和无卤素要求。适用于电机控制、照明、工业和负载开关等。
特点:
低RDS(ON):<14.5mΩ @ VGS=10V
逻辑电平栅极驱动
具有ESD保护
VDS=60V,Id=6.5A
等效电路图:
应用:
电机控制、照明、工业和负载开关等