PANJIT 的汽车MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时最大限度地提高雪崩强度和空间利用率。

PANJIT40V增强型MOSFET是低电压MOSFET,其导通电阻低于1欧姆,同时最大限度地提高雪崩强度和空间利用率。符合AEC-Q101标准，结温高达 +175°C。它们采用例如 DFN5060-8L封装。

非常适用于电源管理功能、反极性保护、电池电源设备、LED 照明、信息娱乐、远程信息处理、高级驾驶辅助系统 (ADAS)、电机驱动器、有刷直流电机、电子转向和直流风扇。

特点/特征

• 符合欧盟 RoHS 2.0 标准

• 按照 IEC 61249 标准采用环保型注塑材料

• 通过 AEC-Q101 鉴定，支持 PPAP

• 低 RDS(ON)，以最小化传导损耗

• 低热阻封装

• 静电敏感器件 (ESD) 能力

• 最高工作结温 +175°C

应用

• 电池供电型设备

• LED 照明

• 信息娱乐

• 远程信息处理

• ADAS

• 电机驱动器/有刷直流电机/电子转向

• 直流风扇