IV3Q12035T4Z 是瞻芯电子（InventChip) 推出的第三代（Gen3）1200V 35mΩ SiC MOSFET，专为高可靠性汽车电子及工业应用设计。该产品采用先进的G3 SiC技术，支持15V-18V宽范围栅极驱动，具备优异的开关性能与高温稳定性，适用于高频、高压、高温环境下的功率转换系统。

特性：

u第三代SiC MOSFET技术

l低导通电阻：25°C时静态导通电阻低至35mΩ，175°C时仅上升至61mΩ，高温性能稳定。

l高速开关：低栅极电荷与极低反向传输电容,显著降低开关损耗

l高温耐受：支持-55°C~175°C宽工作温度范围，结温最高达175°C。

u封装优化设计

l开尔文源极引脚：独立驱动回路（Pin 3）与功率回路（Pin 2），减少寄生电感，提升高频开关效率。

l增强散热能力：热阻低至0.52°C/W，搭配TO247封装，支持高功率密度设计。

l焊接友好：引脚间距优化，降低短路风险，适配自动化生产。

u汽车级可靠性

lAEC-Q101认证

l抗浪涌能力

l宽驱动兼容性

典型应用:

新能源汽车：主驱电机控制器、车载充电机（OBC）、DC/DC变换器。

可再生能源：光伏逆变器、储能系统双向变流器。

工业电源：高频开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）。

轨道交通：牵引变流器、辅助供电系统