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Inventchip IV2Q系列 SiC MOSFET

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覆盖600V至1700V电压等级,适用于高功率、高频率、高温度应用场景

Inventchip(瞻芯电子)作为国内领先的第三代半导体技术企业,已成功掌握6英寸SiC MOSFET产品及工艺平台,推出IV2Q系列SiC MOSFET,覆盖600V至1700V电压等级,适用于高功率、高频率、高温度应用场景。该系列采用第二代SiC MOSFET技术,具备优异的电气性能和可靠性,已通过车规级认证,可广泛应用于新能源、工业电源、汽车电子等领域。

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产品特性:

  • 电压范围覆盖600V–1700V,满足不同高压应用需求。

  • 低导通电阻(如IV2Q171R0T3在18V栅压下典型值为910mΩ),有效降低导通损耗。

  • 最高工作结温达175℃,适应高温环境。

  • 寄生电容小,开关速度快,提升系统效率。

  • 内置快速恢复体二极管,反向恢复时间短(典型33.5ns),降低开关损耗。

  • 提供TO247-4、TO263-7、TO247-3等多种封装,体积小、焊接便利,适合高密度布局。

产品应用:

光伏逆变器;风能逆变系统;工业开关电源;新能源汽车(OBC、电机驱动);充电桩;智能电表;电机驱动与控制


IV2Q系列 SiC MOSFET


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