Infineon第六代CoolSiC™ 650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，该产品采用英飞凌最新的G6技术平台，在前代G5技术基础上进一步优化，引入新型肖特基金属系统，显著提升了整体性能。该二极管专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，可满足高要求应用场景中对高效率、高可靠性和高功率密度的需求。

特性：

• 优异的电气性能：低导通压降：仅1.25 V；高反向耐压：VRRM = 650 V，适用于工业级应用

• 卓越的热性能：-55℃~175℃工作温度；低热阻；高连续电流能力

• 系统级优势：提升系统效率；降低散热需求；支持更高功率密度设计

应用领域：

开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路；太阳能逆变器；不间断电源（UPS）；工业电机驱动；电动汽车充电模块