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Nexperia N沟道TrenchMOS逻辑电平FET

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具有额定重复性雪崩,开关速度非常快,ESD电阻高

Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件,符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣的工作环境,由于其额定温度为+175°C,因此非常适合用于要求高温的环境。

Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩,开关速度非常快,ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先的小型封装,将高功率和热效率与极高的质量水平相结合。

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特性:

  • 符合AEC Q101

  • 重复雪崩等级

  • 额定温度为175°C,适用于高温环境

  • 真逻辑电平门在175°C时的VGS(th)额定值大于0.5V

  • VDS=60V,ID=75A,Ptot=137W

应用:

12 V汽车系统电机,灯具和电磁阀控制起停微混合动力应用变速箱控制超高性能电源开关

引脚信息:

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Nexperia N沟道TrenchMOS逻辑电平FET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
BUK9880-55A Series 55 V 7A 73 mOhm N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - SC-73
20021
Single N-Channel 100 V 75 mOhm 8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
5000
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
20000
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
0

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