ROHM RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压（V_DSS）和±15.5A连续漏极电流。该N沟道MOSFET具有38mΩ低导通电阻（R_DS(on))和14W功耗。RQ3L060BG MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C~150°C，采用无卤素、大功率小型模具封装 (HSMT8)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动器和直流/直流转换器。

特性：

• 低导通电阻：38mΩ（最大值）

• 大功率小型模具封装 (HSMT8)

• 漏极-源极电压（VDSS）：60V

• 栅极-源极电压（VGSS）：±20V

• 连续漏极电流（ID）：±15.5A

• 工作温度：-55°C~+150°C

应用：

开关，直流/直流转换器，电机驱动器