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ROHM RQ3L060BG功率MOSFET

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具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器

ROHM RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流。该N沟道MOSFET具有38mΩ低导通电阻(RDS(on))和14W功耗。RQ3L060BG MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C~150°C,采用无卤素、大功率小型模具封装 (HSMT8)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动器和直流/直流转换器。

upfile

特性:

  • 低导通电阻:38mΩ(最大值)

  • 大功率小型模具封装 (HSMT8)

  • 漏极-源极电压(VDSS):60V

  • 栅极-源极电压(VGSS):±20V

  • 连续漏极电流(ID):±15.5A

  • 工作温度:-55°C~+150°C

应用:

开关,直流/直流转换器,电机驱动器

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制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
Nch 60V 15.5A, HSMT8, Power MOSFET
100

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