| 制造商编号 | 2SC5692(TE85L,F) |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-2SC5692(TE85L,F)-1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Transist. NPN 50V 2.5A hfe1000 120ns TSM 翻译
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暂无数据
送50积分
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 2.5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装/外壳 | TSM | |
| 功率 | 1W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.14 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.60mm | |
| 封装/外壳 | 2.9*1.6*0.7mm | |
| 高度 | 0.7mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按10的倍数下单） |
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| 70 + | ￥2.1944 |
| 100 + | ￥1.5811 |
| 300 + | ￥1.1787 |
| 500 + | ￥1.0924 |
| 1,000 + | ￥1.074 |
| 4,000 + | ￥1.0243 |
| 5,000 + | ￥1.0243 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：10
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3周-4周
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| 起订量： 70 | 倍数：1 |
生产年份 : 2025 年
GaN功率晶体管 700V耐压、零反向恢复、超高频开关能力、低栅极电荷
ABPY系列 铁氧体磁珠 通过高频阻抗特性抑制高频噪声 优异的EMI抑制能力，高额定电流
CMP系列 车规级 2010封装 电流传感电阻 高性能 高可靠性
TCQ系列 聚合物钽电容 符合AEC-Q200 低ESR 高频特性
eAIT-II系列 连接器 车规 线对线/线对板 0.64mm间距
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SSL310A | 5,000 |
| MMBT5551Q | 4,800 |
| BZT52B36 | 2,010 |
| TEA2025L-D16-T | 2,000 |
| MDF7-5S-2.54DSA(56) | 800 |
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