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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 功率耗散Pd | 73W | |
| 导通电阻Rds(On) | 41mΩ@35A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 150V | |
| 连续漏极电流Id | 35A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 10 + | ￥18.2424 |
| 100 + | ￥10.7604 |
| 500 + | ￥9.6915 |
| 1,000 + | ￥8.7651 |
整包（请按2500的倍数下单） |
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| 2,500 + | ￥7.2686 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
7天-14天
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| 起订量： 10 | 倍数：1 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SI7617DN-T1-GE3 | 300,000 |
| PJA3413-AU_R1_000A1 | 105,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 75,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 66,000 |
| JMSL1020AGDQ-13 | 50,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
￥18.2424
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSC520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||||
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FDS2582 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 66m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
￥4.323
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200 | 对比 | ||||||||||||
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
￥3.718
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50 | 对比 |
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