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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | HSOP8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 连续漏极电流Id | ±135A | |
| 导通电阻Rds(On) | 3.3m Ohms | |
| 功率耗散Pd | 104W |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
7天-14天
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| 起订量： 100 | 倍数：1 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LP2371LT1G | 72,000 |
| NCEP035N85GU | 65,000 |
| NCEP026N10 | 55,000 |
| GP3401A | 54,000 |
| NCE60P25K | 45,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥13.7532
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTMFS6H818NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 100,000 | 对比 | ||||||||||||
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SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel PowerPAK SO-8 |
￥10.62
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥10.3488
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98 | 对比 | ||||||||||||
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FDS3590 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 39m Ohms@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 80V 6.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTMFS6H818NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.7mΩ@20A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 123A 80V 136W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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