| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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数据手册 |
4.4A(Ta),15A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),40W(Tc) 67m Ohms@4.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN Power P-Channel 100V 4.4A 8-MLP(3.3x3.3) |
￥5.496
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262 | 当前型号 | |||||||||||||||
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数据手册 |
HSMT8 |
￥7.1972
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2,990 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
HSMT8 |
￥7.3785
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2,915 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
HSMT8 |
￥3.3432
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2,718 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
HSMT8 |
暂无价格 | 150 | 对比 | |||||||||||||||
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数据手册 |
HSMT8 |
暂无价格 | 11 | 对比 |
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 连续漏极电流Id | 4.4A(Ta),15A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1335pF @ 50V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 功率耗散Pd | 2.3W(Ta),40W(Tc) | |
| 导通电阻Rds(On) | 67m Ohms@4.4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | |
| 封装/外壳 | Power | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 4.4A | |
| 封装/外壳 | 8-MLP(3.3x3.3) |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJC138K-AU_R1_000A1 | 90,000 |
| LN4501LT1G | 36,007 |
| LN2312LT1G | 36,000 |
| CJMP2011 | 21,000 |
| LPB2325LT1G | 15,000 |
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