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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,2.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@100mA,2.5V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | EMTF | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 0.2A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-5天
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| 起订量： 1 | 倍数：1 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| S-LBSS84LT1G | 416,576 |
| LBSS8402DW1T1G | 237,955 |
| LBSS138DW1T1G | 30,000 |
| L2N7002KN3T5G | 30,000 |
| 2N7002KTB_R1_00001 | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RE1C002UNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@100mA,2.5V 150°C(TJ) EMTF N-Channel 20V 0.2A |
￥0.5893
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237 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
暂无价格 | 138,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥2.0622
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41,634 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥1.0342
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29,900 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥0.5424
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27,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUE002N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N-Channel 20V EMT3 200mA(Ta) ±8V 1.2Ω@200mA,2.5V |
￥1.0342
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5,647 | 对比 |
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