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2N7002-T1-GE3  与  2N7002H-13  区别

型号 2N7002-T1-GE3 2N7002H-13
唯样编号 A-2N7002-T1-GE3 A-2N7002H-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200mW(Ta) 370mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 7.5Ω@50mA,5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 26 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.35 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 115mA(Ta) 170mA(Ta)
系列 2N -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
驱动电压 - 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
2N7002H-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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