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2N7002K-T1-GE3  与  2N7002,215  区别

型号 2N7002K-T1-GE3 2N7002,215
唯样编号 A-2N7002K-T1-GE3 A-2N7002,215
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs -
Qg-栅极电荷 0.4nC -
栅极电压Vgs 1V ±30V
正向跨导 - 最小值 100mS -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -65°C ~ 150°C
连续漏极电流Id 300mA 0.3A
配置 Single -
长度 2.9mm -
输入电容 - 31pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
高度 1.45mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 0.35W 0.83W
输出电容 - 7pF
典型关闭延迟时间 35ns -
FET类型 - N-Channel
系列 2N7002K -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5Ω@500mA,10V
典型接通延迟时间 25ns -
库存与单价
库存 13 16,359
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥0.2851
100+ :  ¥0.2112
1,000+ :  ¥0.1637
1,500+ :  ¥0.1342
3,000+ :  ¥0.1188
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

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2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002_SOT-23

¥0.2851 

阶梯数 价格
10: ¥0.2851
100: ¥0.2112
1,000: ¥0.1637
1,500: ¥0.1342
3,000: ¥0.1188
16,359 对比
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002P_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.2612 

阶梯数 价格
570: ¥0.2612
1,000: ¥0.2025
1,500: ¥0.166
3,000: ¥0.1469
3,000 对比
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暂无价格 2,423 对比
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.3599 

阶梯数 价格
1: ¥0.3599
100: ¥0.2322
1,000: ¥0.172
1,500: ¥0.1433
3,000: ¥0.112
5 对比

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