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AO3406  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 AO3406 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A-AO3406 A3-IRLML9301TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 23 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@10V 64mΩ@3.6A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 70mΩ -
Qgd(nC) 1 Ohms -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 4.5 -
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 3.6A 3.6A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 170 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
Trr(ns) 7.5 -
Td(off)(ns) 18.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
Qrr(nC) 2.5 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 35 -
Qg*(nC) 2 -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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