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AO3418  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 AO3418 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A-AO3418 A-IRLML6346TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.8A,10V 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 3.8A 3.4A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.6293
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
3,000: ¥0.6293
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暂无价格 0 对比

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