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AO4402  与  IRF6201TRPBF  区别

型号 AO4402 IRF6201TRPBF
唯样编号 A-AO4402 A-IRF6201TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF6201TRPBF, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 580 -
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@4.5V 2.7mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@2.5V 7mΩ -
引脚数目 - 8
Qgd(nC) 12 -
最小栅阈值电压 - 0.5V
栅极电压Vgs 12V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 SO-8 -
连续漏极电流Id 20A 27A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 3860 -
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8555pF @ 16V
高度 - 1.50mm
Trr(ns) 17 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 320 ns
Td(off)(ns) 70 -
漏源极电压Vds 20V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W
Qrr(nC) 36 -
晶体管配置 -
VGS(th) 1.6 -
FET类型 N-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 29 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 195nC @ 4.5V
Coss(pF) 740 -
Qg*(nC) 36 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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