首页 > 商品目录 > > > > AO4405代替型号比较

AO4405  与  IRF9335TRPBF  区别

型号 AO4405 IRF9335TRPBF
唯样编号 A-AO4405 A3-IRF9335TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 65 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@-6A,-10V 59mΩ@5.4A,10V
Rds On(Max)@4.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -6A 5.4A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 520 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 386pF @ 25V
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 5.3 -
VGS(th) -2.4 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 386pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4405 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
IRF9335TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
AO4405L AOS 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF9335TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF9335PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售