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AO4419  与  IRF9332TRPBF  区别

型号 AO4419 IRF9332TRPBF
唯样编号 A-AO4419 A-IRF9332TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET IRF9332TRPBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 28.1mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
引脚数目 - 8
Qgd(nC) 4.6 -
最小栅阈值电压 - 1.3V
栅极电压Vgs 20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 -
连续漏极电流Id -9.7A 9.8A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1040 -
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1270pF
高度 - 1.50mm
Trr(ns) 11.5 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 73 ns
Td(off)(ns) 26 -
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W
Qrr(nC) 25 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
正向跨导 - 36S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
480+ :  ¥2.5734
1,000+ :  ¥2.025
1,500+ :  ¥1.5836
3,000+ :  ¥1.2352
暂无价格
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