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AO4430  与  IRF8736PBF  区别

型号 AO4430 IRF8736PBF
唯样编号 A-AO4430 A-IRF8736PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 355 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@10V 4.8mΩ@18A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.5mΩ -
Qgd(nC) 15 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 18A 18A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 6060 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2315pF
Trr(ns) 33.5 -
Td(off)(ns) 51.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 22 Ohms -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2315pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC
Coss(pF) 638 -
Qg*(nC) 48 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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