AO4443 与 IRF7241TRPBF 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	AO4443	IRF7241TRPBF
唯样编号	A-AO4443	A-IRF7241TRPBF
制造商	AOS	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC	Single P-Channel 40 V 2.5 W 53 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表	AO4443.pdf	IRF7241TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Crss(pF)	72	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	42mΩ@-6A,-10V	41mΩ@6.2A,10V
Rds On(Max)@4.5V	63mΩ	-
Qgd(nC)	4.3	-
栅极电压Vgs	±20V	±20V
Td(on)(ns)	10.3	-
封装/外壳	SO-8	8-SO
连续漏极电流Id	-6A	6.2A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF)	940	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3220pF @ 25V
Trr(ns)	17	-
Td(off)(ns)	39	-
漏源极电压Vds	-40V	40V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W	2.5W(Ta)
Qrr(nC)	11.5	-
VGS(th)	-2.6	-
FET类型	P-Channel	P-Channel
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3220pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	80nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	80nC @ 10V
Coss(pF)	97	-
Qg*(nC)	8.4	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
AO4443	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 P-Channel -40V ±20V -6A 3.1W 42mΩ@-6A,-10V -55°C~150°C	暂无价格	当前型号
IRF7241TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO	暂无价格	对比
FDS4675	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	11A(Ta) ±20V 2.4W(Ta) 13m Ohms@11A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 11A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS4685	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS4685	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC	暂无价格	对比
IRF7241PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	41mΩ@6.2A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 40V 6.2A 8-SO	暂无价格	对比