AO4496 与 DMG4466SSS-13 区别
| 型号 | AO4496 | DMG4466SSS-13 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4496 | A-DMG4466SSS-13 | ||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | 55 | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19.5mΩ@10A,10V | 33mΩ | ||
| 上升时间 | - | 7.9ns | ||
| Rds On(Max)@4.5V | 26mΩ | - | ||
| Qgd(nC) | 2.2 | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 25V | ||
| Td(on)(ns) | 5 | - | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO | ||
| 连续漏极电流Id | 10A | 10A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Ciss(pF) | 550 | - | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 下降时间 | - | 3.1ns | ||
| Trr(ns) | 22 Ohms | - | ||
| Td(off)(ns) | 24 | - | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 1.42W | ||
| Qrr(nC) | 14 | - | ||
| VGS(th) | 2.5 | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 14.6ns | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 系列 | - | DMG4466 | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 478.9pF @ 15V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17nC @ 10V | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.9ns | ||
| Coss(pF) | 110 | - | ||
| Qg*(nC) | 4.6 | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.6031
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0 | 当前型号 | ||||
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DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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