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AO4803A  与  IRF7306TRPBF  区别

型号 AO4803A IRF7306TRPBF
唯样编号 A-AO4803A A-IRF7306TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 65 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@-5A,-10V 100mΩ@1.8A,10V
Rds On(Max)@4.5V 74mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -5A 3.6A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 520 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 5.3 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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