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AO4805  与  IRF9358PBF  区别

型号 AO4805 IRF9358PBF
唯样编号 A-AO4805 A-IRF9358PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 2 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 295 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@10V 16.3mΩ@9.2A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -9A 9.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 2060 -
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1740pF @ 25V
Trr(ns) 30 -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 22 Ohms -
VGS(th) -2.8 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
Coss(pF) 370 -
Qg*(nC) 30* -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥2.8205
100+ :  ¥2.2449
1,000+ :  ¥1.6176
1,500+ :  ¥1.3924
3,000+ :  ¥1.1
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4805 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.8205 

阶梯数 价格
1: ¥2.8205
100: ¥2.2449
1,000: ¥1.6176
1,500: ¥1.3924
3,000: ¥1.1
1,000 当前型号
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阶梯数 价格
1: ¥23.9497
100: ¥13.843
1,250: ¥8.7764
2,500: ¥6.3454
100 对比
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