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AO4818B  与  IRL6372TRPBF  区别

型号 AO4818B IRL6372TRPBF
唯样编号 A-AO4818B A-IRL6372TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 82 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@8A,10V 17.9mΩ@8.1A,4.5V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 26mΩ -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 8A 8.1A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 740 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
Trr(ns) 8 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 18 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4818B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 当前型号
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.21
1,250: ¥1.0494
2,500: ¥0.9889
4,942 对比
DMN3018SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
766 对比
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 18 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

暂无价格 0 对比

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