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AO4818B  与  DMG4822SSD-13  区别

型号 AO4818B DMG4822SSD-13
唯样编号 A-AO4818B A36-DMG4822SSD-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 82 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@8A,10V 20mΩ
ESD Diode Yes -
上升时间 - 7.9ns
Rds On(Max)@4.5V 26mΩ -
Qg-栅极电荷 - 10.5nC
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs ±20V 25V
正向跨导 - 最小值 - 200mS
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 SO-8
连续漏极电流Id 8A 10A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Ciss(pF) 740 -
配置 - Dual
下降时间 - 3.1ns
Trr(ns) 8 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.42W
Qrr(nC) 18 -
VGS(th) 2.4 -
典型关闭延迟时间 - 14.6ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - DMG4822
通道数量 - 2Channel
典型接通延迟时间 - 2.9ns
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 0 19
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4818B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 当前型号
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.21
1,250: ¥1.0494
2,500: ¥0.9889
4,942 对比
DMN3018SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
766 对比
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 19 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRL6372PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

2 N-通道(双) 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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