| 型号 | AO4882 | FDS6990AS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4882 | A3t-FDS6990AS |
| 制造商 | AOS | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 11 | - |
| 功率 | - | 9/10W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@10V | 22 毫欧 @ 7.5A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 27mΩ | - |
| Qgd(nC) | 1.1 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| Td(on)(ns) | 4 | - |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 8A | 7.5A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 415 | - |
| Schottky Diode | No | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 15V |
| Trr(ns) | 12.5 | - |
| Td(off)(ns) | 15 | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 900mW |
| Qrr(nC) | 3.5 | - |
| VGS(th) | 2.4 | - |
| FET类型 | N-Channel | 逻辑电平门 |
| 系列 | - | PowerTrench®,SyncFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 5V |
| Coss(pF) | 112 | - |
| Qg*(nC) | 3 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4882 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 40V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN4026SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 40V 7A |
￥2.519
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2,796 | 对比 | ||||||||||
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FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
