AO8814 与 DMN2016UTS-13 区别
| 型号 | AO8814 | DMN2016UTS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO8814 | A3-DMN2016UTS-13 |
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP | Dual N-Channel 20 V 14.5 mOhm Enhancement Mode Mosfet |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 150 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@7.5A,10V | 16.5mΩ |
| ESD Diode | Yes | - |
| Rds On(Max)@1.8V | 34mΩ | - |
| 上升时间 | - | 11.66ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 18mΩ | - |
| Rds On(Max)@2.5V | 24mΩ | - |
| Qgd(nC) | 4 | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 8V |
| Td(on)(ns) | 6.2 | - |
| 封装/外壳 | TSSOP-8 | TSSOP |
| 连续漏极电流Id | 7.5A | 8.58A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 1390 | - |
| 配置 | - | Dual |
| 下降时间 | - | 16.27ns |
| Trr(ns) | 15 | - |
| Td(off)(ns) | 40.5 | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W | 880mW |
| Qrr(nC) | 5.1 Ohms | - |
| VGS(th) | 1 Ohms | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 59.38ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | - | DMN2016 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1495pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16.5nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 10.39ns |
| Coss(pF) | 190 | - |
| Qg*(nC) | 15.4 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 6,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO8814 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSSOP-8 N-Channel 20V ±12V 7.5A 1.5W 16mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 当前型号 |
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DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSSOP 8.58A 880mW 16.5mΩ 20V 8V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSSOP 8.58A 880mW 16.5mΩ 20V 8V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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