AOB27S60L 与 R6020KNJTL 区别
| 型号 | AOB27S60L | R6020KNJTL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB27S60L | A3-R6020KNJTL |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 2.3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 160mΩ@10V | 196mΩ@9.5A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| Qgd(nC) | 8.8 | - |
| 栅极电压Vgs | 30V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 31 | - |
| 封装/外壳 | TO-263 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 27A | 20A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 1294 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Schottky Diode | No | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1550pF @ 25V |
| Trr(ns) | 440 | - |
| Td(off)(ns) | 99 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 357W | 231W(Tc) |
| Qrr(nC) | 7500 | - |
| VGS(th) | 4 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 40nC @ 10V |
| Coss(pF) | 80 | - |
| Qg*(nC) | 26* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,025 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
R6020KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 1,025 | 对比 |
|
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STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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