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AOB290L  与  IPB027N10N5ATMA1  区别

型号 AOB290L IPB027N10N5ATMA1
唯样编号 A-AOB290L A-IPB027N10N5ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 42 -
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 21 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 10300pF @ 50V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 31 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 140A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 139nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 7180 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.7 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 65 -
Td(off)(ns) 45 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 500W -
Qrr(nC) 460 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 184uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 2780 -
Qg*(nC) 90* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404

¥20.0457 

阶梯数 价格
210: ¥20.0457
400: ¥16.9879
800: ¥15.5852
0 对比
IPB027N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
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IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3

暂无价格 0 对比
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IPB027N10N5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

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